課程名稱 |
奈米元件的製程與檢測技術 Fabrication and Characterization Techniques of Nanodevices |
開課學期 |
103-1 |
授課對象 |
理學院 應用物理學研究所 |
授課教師 |
林敏聰 |
課號 |
Phys8101 |
課程識別碼 |
222 D3240 |
班次 |
|
學分 |
3 |
全/半年 |
半年 |
必/選修 |
選修 |
上課時間 |
星期四6,7,8(13:20~16:20) |
上課地點 |
新物833 |
備註 |
總人數上限:30人 |
Ceiba 課程網頁 |
http://ceiba.ntu.edu.tw/1031Phys8101_ |
課程簡介影片 |
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核心能力關聯 |
核心能力與課程規劃關聯圖 |
課程大綱
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為確保您我的權利,請尊重智慧財產權及不得非法影印
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課程概述 |
半導體製程依據摩爾定律之預測已經成熟發展約40年,元件尺寸從微米級元件到目前的奈米級元件,應用範圍更含括邏輯元件、記憶體元件、微機電元件、嵌入式元件以及目前之生醫元件等等。而先進的奈米製程技術以及先進機台為背後的主要推手。
此課程主要分為包括先進奈米元件介紹以及製程應用、半導體製程設備機台介紹、建測技術以及實務參訪。可學習到各製程步驟與製程設備的主要技術原理及重要的基礎觀念。有助學生日後投入半導體、光電或其他相關奈米元件等相關產業。
本課程將與國家奈米元件實驗室合作。授課內容兼具基礎原理與實務知識。目前本課程也正在進行 NDL課程認證,作為未來學生參與NDL工作的先修課程。並搭配實務與參訪。
(1) 先進半導體元件介紹以及製程應用:可學習到目前各個半導體元件之原理、架構、以及所需的半導體製程。
(2) 半導體製程設備機台介紹:可學習到各製程步驟與製程設備的主要技術原理及重要的基礎觀念
(3) 實務參訪:安排參訪國家奈米元件實驗室的新竹元件廠,實地參觀半導體元件之製作。
A. 簡介:積體電路製造與半導體元件
B. 製程整合與CMOS製程
C. 製程整合與微機電製程
D. 微影技術
E. 磊晶製程
F. 化學氣相沉積與氧化
G. 離子佈植與擴散
H. 後段金屬連線製程
I. 蝕刻技術與電漿
J. 材料分析技術
K. 無塵室介紹與奈米製程實驗室設備見習實作:微影
L. 半導體製程設備見習實作:物理氣相沉積與磊晶設備
參考書目:半導體製程技術導論 introduction to semiconductor manufacturing technology, Hong Xiao 著, 羅正忠、張鼎張譯 歐亞書局有限公司
其他參考資料與評分方式將於第一次上課公告。
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課程目標 |
半導體製程依據摩爾定律之預測已經成熟發展約40年,元件尺寸從微米級元件到目前的奈米級元件,應用範圍更含括邏輯元件、記憶體元件、微機電元件、嵌入式元件以及目前之生醫元件等等。而先進的奈米製程技術以及先進機台為背後的主要推手。
此課程主要分為包括先進奈米元件介紹以及製程應用、半導體製程設備機台介紹、建測技術以及實務參訪。可學習到各製程步驟與製程設備的主要技術原理及重要的基礎觀念。有助學生日後投入半導體、光電或其他相關奈米元件等相關產業。
本課程將與國家奈米元件實驗室合作。授課內容兼具基礎原理與實務知識。目前本課程也正在進行 NDL課程認證,作為未來學生參與NDL工作的先修課程。並搭配實務與參訪。
(1) 先進半導體元件介紹以及製程應用:可學習到目前各個半導體元件之原理、架構、以及所需的半導體製程。
(2) 半導體製程設備機台介紹:可學習到各製程步驟與製程設備的主要技術原理及重要的基礎觀念
(3) 實務參訪:安排參訪國家奈米元件實驗室的新竹元件廠,實地參觀半導體元件之製作。
A. 簡介:積體電路製造與半導體元件
B. 製程整合與CMOS製程
C. 製程整合與微機電製程
D. 微影技術
E. 磊晶製程
F. 化學氣相沉積與氧化
G. 離子佈植與擴散
H. 後段金屬連線製程
I. 蝕刻技術與電漿
J. 材料分析技術
K. 無塵室介紹與奈米製程實驗室設備見習實作:微影
L. 半導體製程設備見習實作:物理氣相沉積與磊晶設備
參考書目:半導體製程技術導論 introduction to semiconductor manufacturing technology, Hong Xiao 著, 羅正忠、張鼎張譯 歐亞書局有限公司
其他參考資料與評分方式將於第一次上課公告。
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課程要求 |
待補 |
預期每週課後學習時數 |
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Office Hours |
|
指定閱讀 |
待補 |
參考書目 |
半導體製程技術導論 introduction to semiconductor manufacturing technology, Hong Xiao 著, 羅正
忠、張鼎張譯 歐亞書局有限公司 |
評量方式 (僅供參考) |
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週次 |
日期 |
單元主題 |
第1週 |
9/18 |
A. 簡介:積體電路製造與半導体元件 林敏聰 教授/ 李愷信 博士 |
第2週 |
9/25 |
B. 製程整合與CMOS製程 賴宇紳 博士 |
第3週 |
10/02 |
Overview of Emerging non-volatile memory 何家驊 博士 |
第4週 |
10/09 |
C. 製程整合與微機電製程 呂如梅 |
第5週 |
10/16 |
D. 微影技術 陳仕鴻 博士 |
第6週 |
10/23 |
E. 磊晶製程 李愷信 博士 |
第7週 |
10/30 |
F. 後段金屬連線製程 賴宇紳 博士 |
第8週 |
11/06 |
G. 離子佈植與擴散 賴東彥 |
第9週 |
11/13 |
期中考週 |
第10週 |
11/20 |
H. 無塵室介紹與奈米製程實驗室設備見習實作:微影 |
第11週 |
11/27 |
I. 化學氣相沉積與氧化 陳旻政 博士 |
第12週 |
12/04 |
J. 材料分析技術 吳建霆 博士 |
第13週 |
12/11 |
K. 蝕刻技術與電漿 唐維翎 |
第14週 |
12/18 |
L. 半導體製程設備見習實作:物理氣相沉積與磊晶設備 |
第15週 |
12/25 |
M.半導體製程設備見習實作:蝕刻與CMP (NDL) |
第16週 |
01/01 |
元旦假期 |
第17週 |
01/08 |
N.半導體製程設備見習實作:氧化擴散與濕式清洗 (NDL) |
第18週 |
1/15 |
期末考 |
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